公司电池事业部氮化硅薄膜沉积工艺取得突破-凯发旗舰厅app下载

日前，通过对工艺技术的创新研发和反复实验，公司太阳能电池pecvd工序取得了关键技术突破，研发出沉积三层氮化硅膜的最优工艺条件，电池片转化效率有0.07%—0.1%的提升，现已导入产线批量生产。

  实验结果表明，三层氮化硅薄膜的互补作用对电池片起到了很好的减反射效果，第一层氮化硅膜厚在10nm左右，折射率在2.4—2.6之间，起到了很好的钝化作用，第二层氮化硅膜厚在30nm左右，折射率在2.0—2.2之间，第三层膜厚在45nm左右，折射率在2.0以内，三层膜系结构设计可使入射的太阳光在电池内多次折射，最大程度地增加了对光的吸收，显著降低了电池表面的光反射，同时，在实验的过程中将三层氮化硅薄膜沉积工艺改为间断性沉积后，氮化硅薄膜平均等效厚度在80—85nm，等效折射率为2.08—2.15，平均反射率降低了2%，相比两层膜的连续性沉积工艺大大提升了氮化硅膜的致密性，提高了氮化硅膜对电池片的钝化效果，增大了电池片的开路电压和短路电流，从而既显著提高了电池片的转换效率，又极大地改善了原来两层膜工艺出现的色差问题。

  公司电池事业部工艺技术研发团队坚持高标准、严要求的工作理念，聚焦太阳能电池生产工艺前沿技术不懈进行科技创新，持续攻关关键技术，依托公司拥有的当今国际光伏行业最先进的全自动生产线，持续对电池产线各道工序进行工艺优化、技术升级，例如5主栅高效单/多晶电池片，无网结技术导入等等，从而使得转换效率达到国内一流水平，各项性能指标达到业内第一，得到国内外客户的广泛认可，赢得了良好口碑。